Ⅰ 我想用英飞凌IGBT模块代替宏微mmgu100s120b6c模块请问老师英飞凌选哪个型号
其芯片主要是：斯达有IR、ABB、英飞凌KT3的芯片，宏微主要是英飞凌KT3/KT4芯片。
南京银茂微电子的芯片不知道。
另外国内做IGBT的主要是风转测试，芯片都是买国外的。
三菱在合肥也投产了IPM封装工厂。
明年量产。
比亚迪还是谨慎一点。
虽说芯片也号称是英飞凌的KT4/KT4芯片，但是IGBT不光是芯片重要，封装测试也很重要，目前斯达的市场认可度最高，下来是宏微，另外IGBT做的最好的就是英飞凌。
高压的市场份额也很大。
Ⅱ SIEMENS(西门子）的IGBT已经被EUPEC（欧派克）收购了
EUPEC（欧洲电力电子公司的缩写）现已成为西门子的全资子公司（原为SIEMENS与AEG的合资公司），产品除标准系列外，更侧重于大功率IGBT、SCR、GTO等。1999年西门子集团为了便于电子零件集团进一步发展，把电子零件的两大部分主动元件（半导体）和被动元件（电容、磁芯等）分别独立出来，形成两家股票公开上市公司。
西门子半导体集团启用"Infineon"（英飞凌）商标；被动元件集团则启用“eupec”商标。今后西门子的IGBT模块将统一使用eupec商标，外加德国的Infineon商标。电解电容等被动元件将由“S+M”商标逐步过渡到全部用“epcos”商标。原西门子电力电子器件生产工厂、产品质量均没有改变，仅仅是商标发生了改变。
Ⅲ 比亚迪都有那些黑科技
1、 就拿IGBT（绝缘栅双极型晶体管）来说，根据我查到的资料，目前我国每年使用的IGBT，90%依赖进口。国际上主要的生产商是“西门子、英飞凌、仙童、三菱、富士、东芝”这些老牌大厂。而其中的“高压大功率IGBT”更是电动车动力系统核心中的核心，国内目前能够量产高压大功率IGBT芯片并用于车辆生产的企业，只有两家。1、比亚迪（新能源车）2、中国中车（高铁）
2 而现在的比亚迪的新能源车，都使用自产芯片自行封装的IGBT模块，额定电压1200V 额定电流600A、1000A。国内至今没有第三家车企能做到这点。其他新能源车企都得买别人的IGBT模块，这没什么好说的。 3、被吹上天的特斯拉。特斯拉采购英飞凌的IGBT芯片，简单的并联塑封在普通电路板上，而且做工什么的真的是太奔放了。。。 4、现在比亚迪的IGBT在国际上还算不上很先进，但正是由于当初比亚迪面对国际垄断选择迎难而上，才让中国人开上了真正意义上的国产新能源车。并且把新能源大巴卖到了全世界。我觉得这就是比亚迪的黑科技之一。
Ⅳ 变频器是什么年代出产的
世界上第一台商用变频器诞生于1967年，是由芬兰瓦萨控制系统有限公司，前身瑞典的STRONGB开发出来的。
变频器的主要特点：
1、低频力矩大、输出平稳 ；
2、高性能矢量控制 ；
3、转矩动态响应快、稳速精度高 ；
4、减速停车速度快 ；
5、抗干扰能力强。
变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。
Ⅳ 电动车里的IGBT是什么，比亚迪在这方面做得如何
这么说吧，凡是涉及到核心的技术最好是自己开发，如果依赖进口万一人家不卖给你那岂不是被人完全遏制住？现在随着IGBT产品量产，中国已经可以和欧洲、日本三分天下了。
Ⅵ gbt芯片是那家上市公司
你好，华微电子（600360）国内第一家突破IGBT芯片制造的上市公司
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是变频器的核心部件，在中低压和高压变频器成本比重分别为24.7%和8.9%。变频器需求的增长将直接拉动IGBT产品的需求。目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。华微电子（600360）已实现IGBT的批量生产，成为国内第一家突破IGBT芯片制造的上市公司；台基股份（300046）为国内大功率半导体器件龙头企业，正在研发IGBT封装技术。
祝你股市获利。
Ⅶ IGBT在制造工艺上有什么难度
Infineon 的SiC的器件都商业化了。中国在Compound 半导体方面又落后了。IGBT的少子寿命控制， 高压下的可靠性，栅极电压的控制，高压的结终端技术.................
Ⅷ 国产IGBT有些什么厂家
新洁能IGBT基于沟槽电场截止型IGBT技术（Trench Field Stop）理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代新洁能IGBT，新一代（Trench FS II）新洁能IGBT模块面积更小，芯片厚度更薄；导通压降（VCEsat）降低约0.3V，开关损耗降低20%以上；器件可耐工作温度更高，使用寿命更长；且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性；综合性能达到业内领先水平。
Ⅸ IGBT概念股有哪些
IGBT(Insulated Gate BIPOlar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT概念主要上市公司：科达股份(600986)、钱江摩托(000913)、华微电子(600360)、中环股份(002129)、长电科技(600584)、台基股份(300046)等。