㈠ 光子晶体波导耦合系数有哪些参数决定
（1）边耦合：如一个半导体激光器或发光二极管在中心薄膜的边缘与波导直接相连
注意问题：(i)光源的发光面积不大于中心薄膜端面的面积
(ii)光源辐射的横模式与波导允许传播模式之间的差异
额外的损耗：(i)中心薄膜端面不平滑或不干净
(ii)入射到波导中光的场模式与传播模的场模式不匹配
（2）棱镜耦合（适合于单模激励，最大耦合效率81%）：一准直的激光束入射，进入棱镜 后在底边以临界角反射，入射波与反射波之间发生干涉，从而在棱镜中产生驻波分布，另外在棱镜底部的空气区域还存在一个消逝场，同时，波导中传播莫的场会延伸到中心薄膜上方的空气中，两者互相耦合。
（最优耦合：输入光束实际上超过棱镜末端少许时 同步条件：棱镜中波的纵向传播因子必须与中心薄膜中波的纵向传播因子相等）
（3）光栅耦合(i)周期电介质条阵列
(ii)折射率呈周期性变化的电介质层
光栅会将入射光衍射成一个或多个传输波，如果这些波中的任何一个具有与传播模式相同的纵向传播因子会发生耦合。
㈡ 什么叫超晶格，超晶格和光子晶体有和区别和联系
超晶格： 1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。
光子晶体：即光子禁带材料,从材料结构上看，光子晶体是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计和制造的晶体。与半导体晶格对电子波函数的调制相类似，光子带隙材料能够调制具有相应波长的电磁波---当电磁波在光子带隙材料中传播时，由于存在布拉格散射而受到调制，电磁波能量形成能带结构。
㈢ 晶体光学的双折射
双折射现象发现于1669年。当一平面光波从真空或从一媒质射入各向异性光学媒质时，一般会产生两个折射平面波，分别以相速度v'和v″传播。光线速度相应为v惤和v惥，这就是双折射。
以θi表示入射单色平面光波的入射角,θ惤和θ惥表示两折射波的折射角,v表示入射波的相速度，则两折射光的波矢均位于入射面内，且有 即每一个折射波都遵从折射定律。但是现在v┡和v″分别依赖于θ惤和θ惥，并且两折射光线不一定在入射面内。这些都与各向同性光学媒质不同。
在正入射的特殊情况,θi=0，所以θ惤=θ惥=0,但v┡和v″并不相等，因此一般仍有两束折射光。
光轴与光线轴 在非旋光性光学媒质中，给定一波矢方向k,一般只允许D振动平行于两个特定方向D┡和D″的单色平面波传播,它们有着不同的相速度和β值。D┡和D″为互相正交的单位矢量，并且都是k的函数,这就是晶体对光波传播的起偏作用(见本条折射率椭球节及图2）。但是存在某些特殊方向，单色平面波沿这些方向传播时,其D振动可在波阵面上取任意方向而相速度相同，这些方向称为各向异性光学媒质的光轴。
完全相似，当给定光线方向t时,一般只允许E振动平行于两特定方向E┡和E″的单色光线传播，它们有着不同的光线速度；相应的相速度也不相同。E┡和E″也互相正交，并且都是t的函数。但是存在某些特殊方向,单色光线沿这些方向传播时,其E振动可在垂直于t的平面上取任意方向而光线速度相同，这些方向称为各向异性光学媒质的光线轴。
㈣ 保定同光晶体厂去保定市区怎么走有多远
河北同光晶体有限公司
公司地址
保定高开区大北二环大学科技园
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㈥ 光晶体管的介绍
光晶体管是由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（GaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。
㈦ 同样光照条件下光敏二极管的光电流比光敏晶体管的大还是小
同样光照下光敏二极管光电流比光敏晶体管的大
㈧ 光晶体管的发展前景
尽管如此，包括电动(electronically-operated)与光动(optically-operated)的光交换机，都已经被开发出来。ETH Zurich的物理化学实验室教授Vahid Sandoghdar表示，光子技术与当今的电子技术相比，就很像今日的IC之于1950年代的真空管放大器。
ETH Zurich所开发的单分子光学晶体管，也有助于催生量子计算机。Sandoghdar表示，要在晶体管内用光子来替代电子，还需要很多年的时间；在此同时，科学家也在研究如何巧妙运用并控制量子系统，以实现量子计算机的梦想。
㈨ 同光晶体有上市计划吗
河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。 公司自建立以来，成立了“院士工作站”、“SiC单晶材料与应用研究联合实验室”，设立了“中国科学院半导体研究成果转化基地”，作为“高层次创新团队”得到河北省人民政府表彰；同时承担了多项国家科研项目，同光作为主承担单位主持的国家863计划“大功率GaN电子器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究”课题已经通过验收；2016年同光又承担了国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范”课题。2017年10月，同光联合清华大学、北京大学宽禁带半导体研究中心、中国科学院半导体研究所、河北大学共同搭建了“第三代半导体材料检测平台”，推动了国内第三代半导体产业的发展。
暂时没有上市的计划，还没有进行股份制改造
㈩ 光晶体管的组成结构
光晶体管由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（GaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快(约为50皮秒)，但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。