Ⅰ 我想用英飛凌IGBT模塊代替宏微mmgu100s120b6c模塊請問老師英飛凌選哪個型號
其晶元主要是：斯達有IR、ABB、英飛凌KT3的晶元，宏微主要是英飛凌KT3/KT4晶元。
南京銀茂微電子的晶元不知道。
另外國內做IGBT的主要是風轉測試，晶元都是買國外的。
三菱在合肥也投產了IPM封裝工廠。
明年量產。
比亞迪還是謹慎一點。
雖說晶元也號稱是英飛凌的KT4/KT4晶元，但是IGBT不光是晶元重要，封裝測試也很重要，目前斯達的市場認可度最高，下來是宏微，另外IGBT做的最好的就是英飛凌。
高壓的市場份額也很大。
Ⅱ SIEMENS(西門子）的IGBT已經被EUPEC（歐派克）收購了
EUPEC（歐洲電力電子公司的縮寫）現已成為西門子的全資子公司（原為SIEMENS與AEG的合資公司），產品除標准系列外，更側重於大功率IGBT、SCR、GTO等。1999年西門子集團為了便於電子零件集團進一步發展，把電子零件的兩大部分主動元件（半導體）和被動元件（電容、磁芯等）分別獨立出來，形成兩家股票公開上市公司。
西門子半導體集團啟用"Infineon"（英飛凌）商標；被動元件集團則啟用「eupec」商標。今後西門子的IGBT模塊將統一使用eupec商標，外加德國的Infineon商標。電解電容等被動元件將由「S+M」商標逐步過渡到全部用「epcos」商標。原西門子電力電子器件生產工廠、產品質量均沒有改變，僅僅是商標發生了改變。
Ⅲ 比亞迪都有那些黑科技
1、 就拿IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）來說，根據我查到的資料，目前我國每年使用的IGBT，90%依賴進口。國際上主要的生產商是「西門子、英飛凌、仙童、三菱、富士、東芝」這些老牌大廠。而其中的「高壓大功率IGBT」更是電動車動力系統核心中的核心，國內目前能夠量產高壓大功率IGBT晶元並用於車輛生產的企業，只有兩家。1、比亞迪（新能源車）2、中國中車（高鐵）
2 而現在的比亞迪的新能源車，都使用自產晶元自行封裝的IGBT模塊，額定電壓1200V 額定電流600A、1000A。國內至今沒有第三家車企能做到這點。其他新能源車企都得買別人的IGBT模塊，這沒什麼好說的。 3、被吹上天的特斯拉。特斯拉采購英飛凌的IGBT晶元，簡單的並聯塑封在普通電路板上，而且做工什麼的真的是太奔放了。。。 4、現在比亞迪的IGBT在國際上還算不上很先進，但正是由於當初比亞迪面對國際壟斷選擇迎難而上，才讓中國人開上了真正意義上的國產新能源車。並且把新能源大巴賣到了全世界。我覺得這就是比亞迪的黑科技之一。
Ⅳ 變頻器是什麼年代出產的
世界上第一台商用變頻器誕生於1967年，是由芬蘭瓦薩控制系統有限公司，前身瑞典的STRONGB開發出來的。
變頻器的主要特點：
1、低頻力矩大、輸出平穩 ；
2、高性能矢量控制 ；
3、轉矩動態響應快、穩速精度高 ；
4、減速停車速度快 ；
5、抗干擾能力強。
變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元微處理單元等組成。變頻器靠內部IGBT的開斷來調整輸出電源的電壓和頻率，根據電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進而達到節能、調速的目的，另外，變頻器還有很多的保護功能，如過流、過壓、過載保護等等。隨著工業自動化程度的不斷提高，變頻器也得到了非常廣泛的應用。
Ⅳ 電動車里的IGBT是什麼，比亞迪在這方面做得如何
這么說吧，凡是涉及到核心的技術最好是自己開發，如果依賴進口萬一人家不賣給你那豈不是被人完全遏制住？現在隨著IGBT產品量產，中國已經可以和歐洲、日本三分天下了。
Ⅵ gbt晶元是那家上市公司
你好，華微電子（600360）國內第一家突破IGBT晶元製造的上市公司
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是變頻器的核心部件，在中低壓和高壓變頻器成本比重分別為24.7%和8.9%。變頻器需求的增長將直接拉動IGBT產品的需求。目前國內IGBT市場仍主要由外資企業所把控，擁有技術優勢的企業有望率先實現進口替代。華微電子（600360）已實現IGBT的批量生產，成為國內第一家突破IGBT晶元製造的上市公司；台基股份（300046）為國內大功率半導體器件龍頭企業，正在研發IGBT封裝技術。
祝你股市獲利。
Ⅶ IGBT在製造工藝上有什麼難度
Infineon 的SiC的器件都商業化了。中國在Compound 半導體方面又落後了。IGBT的少子壽命控制， 高壓下的可靠性，柵極電壓的控制，高壓的結終端技術.................
Ⅷ 國產IGBT有些什麼廠家
新潔能IGBT基於溝槽電場截止型IGBT技術（Trench Field Stop）理論，進一步優化了器件結構，採用了先進超薄片工藝製程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態、靜態性能。相比上一代新潔能IGBT，新一代（Trench FS II）新潔能IGBT模塊面積更小，晶元厚度更薄；導通壓降（VCEsat）降低約0.3V，開關損耗降低20%以上；器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長；且維持了較強的短路能力、較高的參數一致性；綜合性能達到業內領先水平。
Ⅸ IGBT概念股有哪些
IGBT(Insulated Gate BIPOlar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT概念主要上市公司：科達股份(600986)、錢江摩托(000913)、華微電子(600360)、中環股份(002129)、長電科技(600584)、台基股份(300046)等。