㈠ 光子晶體波導耦合系數有哪些參數決定
（1）邊耦合：如一個半導體激光器或發光二極體在中心薄膜的邊緣與波導直接相連
注意問題：(i)光源的發光面積不大於中心薄膜端面的面積
(ii)光源輻射的橫模式與波導允許傳播模式之間的差異
額外的損耗：(i)中心薄膜端面不平滑或不幹凈
(ii)入射到波導中光的場模式與傳播模的場模式不匹配
（2）棱鏡耦合（適合於單模激勵，最大耦合效率81%）：一準直的激光束入射，進入棱鏡 後在底邊以臨界角反射，入射波與反射波之間發生干涉，從而在棱鏡中產生駐波分布，另外在棱鏡底部的空氣區域還存在一個消逝場，同時，波導中傳播莫的場會延伸到中心薄膜上方的空氣中，兩者互相耦合。
（最優耦合：輸入光束實際上超過棱鏡末端少許時 同步條件：棱鏡中波的縱向傳播因子必須與中心薄膜中波的縱向傳播因子相等）
（3）光柵耦合(i)周期電介質條陣列
(ii)折射率呈周期性變化的電介質層
光柵會將入射光衍射成一個或多個傳輸波，如果這些波中的任何一個具有與傳播模式相同的縱向傳播因子會發生耦合。
㈡ 什麼叫超晶格，超晶格和光子晶體有和區別和聯系
超晶格： 1970年美國IBM實驗室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．超晶格材料是兩種不同組元以幾個納米到幾十個納米的薄層交替生長並保持嚴格周期性的多層膜，事實上就是特定形式的層狀精細復合材料。
光子晶體：即光子禁帶材料,從材料結構上看，光子晶體是一類在光學尺度上具有周期性介電結構的人工設計和製造的晶體。與半導體晶格對電子波函數的調制相類似，光子帶隙材料能夠調制具有相應波長的電磁波---當電磁波在光子帶隙材料中傳播時，由於存在布拉格散射而受到調制，電磁波能量形成能帶結構。
㈢ 晶體光學的雙折射
雙折射現象發現於1669年。當一平面光波從真空或從一媒質射入各向異性光學媒質時，一般會產生兩個折射平面波，分別以相速度v'和v″傳播。光線速度相應為v惤和v惥，這就是雙折射。
以θi表示入射單色平面光波的入射角,θ惤和θ惥表示兩折射波的折射角,v表示入射波的相速度，則兩折射光的波矢均位於入射面內，且有 即每一個折射波都遵從折射定律。但是現在v┡和v″分別依賴於θ惤和θ惥，並且兩折射光線不一定在入射面內。這些都與各向同性光學媒質不同。
在正入射的特殊情況,θi=0，所以θ惤=θ惥=0,但v┡和v″並不相等，因此一般仍有兩束折射光。
光軸與光線軸 在非旋光性光學媒質中，給定一波矢方向k,一般只允許D振動平行於兩個特定方向D┡和D″的單色平面波傳播,它們有著不同的相速度和β值。D┡和D″為互相正交的單位矢量，並且都是k的函數,這就是晶體對光波傳播的起偏作用(見本條折射率橢球節及圖2）。但是存在某些特殊方向，單色平面波沿這些方向傳播時,其D振動可在波陣面上取任意方向而相速度相同，這些方向稱為各向異性光學媒質的光軸。
完全相似，當給定光線方向t時,一般只允許E振動平行於兩特定方向E┡和E″的單色光線傳播，它們有著不同的光線速度；相應的相速度也不相同。E┡和E″也互相正交，並且都是t的函數。但是存在某些特殊方向,單色光線沿這些方向傳播時,其E振動可在垂直於t的平面上取任意方向而光線速度相同，這些方向稱為各向異性光學媒質的光線軸。
㈣ 保定同光晶體廠去保定市區怎麼走有多遠
河北同光晶體有限公司
公司地址
保定高開區大北二環大學科技園
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㈥ 光晶體管的介紹
光晶體管是由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵（GaAs），主要分為雙極型光晶體管、場效應光晶體管及其相關器件。
㈦ 同樣光照條件下光敏二極體的光電流比光敏晶體管的大還是小
同樣光照下光敏二極體光電流比光敏晶體管的大
㈧ 光晶體管的發展前景
盡管如此，包括電動(electronically-operated)與光動(optically-operated)的光交換機，都已經被開發出來。ETH Zurich的物理化學實驗室教授Vahid Sandoghdar表示，光子技術與當今的電子技術相比，就很像今日的IC之於1950年代的真空管放大器。
ETH Zurich所開發的單分子光學晶體管，也有助於催生量子計算機。Sandoghdar表示，要在晶體管內用光子來替代電子，還需要很多年的時間；在此同時，科學家也在研究如何巧妙運用並控制量子系統，以實現量子計算機的夢想。
㈨ 同光晶體有上市計劃嗎
河北同光晶體有限公司成立於2012年，位於保定市高新技術開發區，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發和生產。公司主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達到世界先進水平。目前，公司已建成完整的碳化硅襯底生產線，是國內著名的碳化硅襯底生產企業。 公司自建立以來，成立了「院士工作站」、「SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室」，設立了「中國科學院半導體研究成果轉化基地」，作為「高層次創新團隊」得到河北省人民政府表彰；同時承擔了多項國家科研項目，同光作為主承擔單位主持的國家863計劃「大功率GaN電子器件用大尺寸SiC襯底制備及外延技術研究」課題已經通過驗收；2016年同光又承擔了國家重點研發計劃「戰略性先進電子材料」重點專項「中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設備中的應用示範」課題。2017年10月，同光聯合清華大學、北京大學寬禁帶半導體研究中心、中國科學院半導體研究所、河北大學共同搭建了「第三代半導體材料檢測平台」，推動了國內第三代半導體產業的發展。
暫時沒有上市的計劃，還沒有進行股份制改造
㈩ 光晶體管的組成結構
光晶體管由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件構成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸收，產生光生載流子，通過內部電放大機構，產生光電流增益。光晶體管三端工作，故容易實現電控或電同步。光晶體管所用材料通常是砷化鎵（GaAs），主要分為雙極型光晶體管、場效應光晶體管及其相關器件。雙極型光晶體管通常增益很高，但速度不太快，對於GaAs-GaAlAs，放大系數可大於1000，響應時間大於納秒，常用於光探測器，也可用於光放大。場效應光晶體管響應速度快(約為50皮秒)，但缺點是光敏面積小，增益小（放大系數可大於10），常用作極高速光探測器。與此相關還有許多其他平面型光電器件，其特點均是速度快（響應時間幾十皮秒）、適於集成。這類器件可望在光電集成中得到應用。