1. 請問如何在網上找到上市公司發布虛假財務報表的案例
上市公司發布虛假財務報表的案例
前 言
美國自二00一年十月以來，陸續爆發安隆(Enron)的財務報表不實報導、世界通訊(Worldcom)的隱瞞虧損、線上時代華納(AOL LIME Warners)的虛報廣告營收及強生制葯(Johnson)被控隱瞞產品過失，甚至連國際知名的奇異公司（G.E.）、美國國際集團（AIG）、思科（Cisco）、摩根大通銀行及國際商業機器（IBM）等也因為可疑的會計操作實務，而讓投資人起了疑心，弊案酬聞，使得股市狂跌，造成美國自30年代經濟大恐慌以來，最大的投資信心危機。
有鑒於此，美國參議員沙班（Paul Sarbane）提出的著名的沙氏法案（Sarbanes-Oxley Act of 2002，又稱為「企業改革法」），該法案的重要項目包括：強化主管機關之監督、公司治理、會計師獨立性等，並成立公開公司會計監督委員會（Public Company Accounting Oversight Board；PCAOB）；尤其在會計師獨立性及內部控制等議題上，明文規定會計師不得同時為同一客戶提供審計及非審計服務，並加強對公司內部稽核之監控。
會計師查核簽證之功能原在賦予會計師站在保護投資大眾的立場，以稽核上市公司財務報表資訊。然而一連串的企業丑聞案，使會計師的公信力受到懷疑，從而影響公開發行公司的財務報告、財務報導准則、會計及審計規范與管制的可靠性。
一九九七年底的亞洲金融風暴，凸顯出亞洲企業仍以家族及集團化經營為主，大陸的」老三案」(深圳原野、海南中水、長城機電)導致涉案會計師事務所解散、相關注冊會計師承受嚴厲的行政處罰；「新三案「(瓊民源、紅光實業、東方鍋爐)則是「所破人亡」，而查核銀廣夏、東方電子的注冊會計師更是鋃鐺入獄，遭受懲處 。台灣在二00四年爆發之博達、皇統、宏達科、訊碟、升技等上市公司高層人員挪用公司資金，進行股價護盤及利益輸送等情事，引發了本土性金融風暴，不僅使一般投資人蒙受重大損失，更使金融體系的資產品質惡化，投資人信心大受打擊，亦使得簽證這些公司的會計師受到輿論及法律上嚴格的譴責 。
為防範上市公司財務舞弊，如何建立一套公司治理制度以偵測舞弊，便顯得異常重要。公司治理可分為「內部監控「，及「外部治理「兩類，前者企求在公司內部，建立一套完善的監督機制，由股東會與監督機關善盡監督義務，避免公司經營者從事道德危險之行為；後者則希冀由交易相對人、債權人、市場、主管機關、證卷商、會計師、及社會大眾等共同發揮力量來監督公司經營者追求公司利益。世界銀行於一九九九年提出之公司治理架構如圖一所示：
爰此，本文乃藉由分析財務報表虛假之原因及特點，並從兩岸之經營環境與會計師之責任與獨立性規范之觀點，探求如何落實公司治理制度中，有關兩岸會計師查核簽證之一環。
一、上市公司管理舞弊之原因分析
所謂「虛假財務報告」，是指財務報告中所揭示的財務會計資訊存在嚴重不實或者財務報告的揭露存在重大遺漏。不同的企業提供虛假財務報告的動機不同，其中最主要的有以下幾個層面：
1. 股價考量
若經營高層本身就是大股東或有業績預算的壓力，為了使該公司有更高的股價，進而使自己本身持股市值增加，便有強烈的誘因趨使他對財務報表動手腳，從營業收入開始，不論是毛利率、營業費用、營業利益、業外收益等都有可用來「窗飾「財務報表。此與投資人及分析師長久以來非常重視公司的營業收入成長、毛利率變化、盈餘成長及每股盈餘等數字上，有十分密切的關系。
2. 募集資金的考量
對於有募集資金壓力的公司而言，如何從市場上募得較佳的資金條件，企業的營運獲利狀況，是關鍵性的因素，此乃經營高層要對財務報表作假的另一個重要原因。為了能夠順利地從資本市場上募集到所需要的資金，條件不佳的企業若欲配股或增發新股，就會操縱損益，發布虛假的財務報表。
3. 經營管理階層之薪酬與公司績效有連帶關系
企業管理階層之薪酬結構自1990年代發生變化，為獎勵管理階層之經營績效所發放之紅利，從過去之現金紅利制轉變成目前多數公司以股票選擇權作為員工之酬勞。根據統計，企業對於股票選擇權之發放比例在過去十年間成長三倍，其相對應之價值更是驚人，1997年全美前2000大企業所發放之股票選擇權市值約為50億美元，至2000年時，其市值已增加為162億美元，其價值短短三年間就超過三倍。兩岸上市公司的高階經營層通常不會願意自己因業績不好而下台，但在經營環境艱困時，作假帳就變成經營層要維持好獲利績效的選擇項目之一。股票選擇權誘使企業管理階層積極創造經營績效以拉抬公司股價，台灣目前常見的方式包括提早認列未實現收入、隱藏負債、使用其他新穎的會計手法等，以提高公司當年度之盈餘。大陸企業目前仍然是以國有企業為主體，上市公司大部分也是由原來的國有企業改制而成，在管理體制上還帶有原來的一些特點，有些經營管理者在上任的當年會希望公司利潤能有大幅上升，從而展現自己的管理能力和績效。亦有部分經理人為達到此種預期，便會著手粉飾財務報告。
4. 資產重組或合並過程中的需要
企業的資產重組和合並，往往涉及很多人的利益，為了滿足不同的利益需要，企業通常會藉改制和合並之機製造虛假的財務報告。例如有些上市公司為了維護企業在股票市場的形象，藉合並之名迷惑投資者。
隨著兩岸證券市場的發展，國家對市場的監管愈來愈趨嚴峻，上市公司發布虛假財務報告所需承擔的風險也逐漸加大，通常必須有很大的誘因，才會促使上市以司挺而走險。
二、 產生虛假財務報告的原因及理論分析
由於資訊的提供者與使用者之間存在著資訊不對稱，擁用較多資訊的一方就能夠利用資訊為自己謀利，審計的產生即為了減少資訊的不對稱。美國證管會向來以其透明的資訊揭露、嚴密的會計法規及有效率的執法機構，建置堪稱最具效率之市場規范架構。並於2000年8月訂定「公平揭露規則」 (Regulation Fair Disclosure，簡稱Regulation FD)，禁止企業與證券分析師於非公開場合接觸時傳遞有關企業內部之重大未公開訊息。惟Regulation FD之實施仍無法完全解決資訊不對稱之問題，證券分析師於安隆、世界通訊案中，不但獲知企業內部之重大未公開訊息，甚至隱而未告或發布不當之研究報告以誤導投資人。致使投資人質疑證管會是否確有善盡主管機關監督之責。
產生虛假財務報告的動機，究其主要原因有兩個方面：一是「利益和風險的權衡」決定了企業為什麼做虛假財務報告；二是「資訊不對稱」決定了企業為什麼能夠做虛假財務報告。
自1990年代全世界五大會計師事務所，開始就替顧客提供管理諮詢服務，即為其查帳客戶同時提供審計與非審計服務。由於管理諮詢服務之公費收入遠較查核業務為高，其潛在之市場讓五大會計師事務所除削價競爭外，對於查帳客戶偏好之會計方法，也漸選擇以默認應對。會計師就此之利益衡量，使獨立性漸受侵蝕。
企業出具虛假財務報告一旦被查出，其後果是相當嚴重的，可能造成公司經濟利益和社會形象的損害，日後成為被稽查的重點對象，造假者個人的經濟利益損失和法律責任的追究等。盡管如此，仍有企業為追求從而鋌而走險。加諸目前企業內、外部監管不力等因素，企業出具虛假財務報告被稽核的比率相當低，且對舞弊案之懲處力度不大。
三、 兩岸財務報告造假的主要手法
大陸有學者針對其上市公司管理舞弊案進行研究 ，本研究更加入近期台灣的舞弊造假手法加以比較。從理論上來說，舞弊最終乃須透過財務報告表達出來。表一說明了兩岸上市司財務舞弊案的造假手法。
表中列示的造假手法都是窗飾財務報告的做法。為了滿足不同的目的，會計人員會靈活採用各種不同的方法，使得財務報告符合管理階層之期望。茲將財務會計實務中，茲將常使用的財報舞弊方式說明如下：
1. 虛增銷貨收入
此乃上市公司管理舞弊手法中最常採用的方法。如大陸紅光實業、黎明股份、銀廣夏等，－－為了提高凈收益，從而達到配股或分紅等其他目的，管理當局於是透過製造某些虛擬的銷貨業務，從而高估其銷貨收入。
台灣2004年爆發的地雷股中，亦有多家上市公司以先設立人頭或空殼公司，再由地雷公司與這些人頭公司進行進貨及銷貨的交易，如此一來，就可「憑空創造」經營階層所要的漂亮營收數字，以近期降為全額交割股的升技為例，根據證交所資料顯示，升技2004年上半年自Top Rise等3家供應商進貨55億元，占總進貨金額之70％，同期間，銷貨至Sunfine等4家公司61億元，占總銷貨金額之71％，其中有高達41億余元無實際通關證明文件，此外，以上所提及7家進貨及銷貨公司都在香港注冊，且住址皆相同，明顯是設立來作虛灌營收的空殼公司。結果，升技2004年前3季的148億營業收入，近15億的稅後凈利及2.41元的每股稅後盈餘，絕大部份是造假作出來的。
2. 虛增應收帳款
虛增應收帳款可同時虛增銷貨收入。由於會計處理上只要有單據證明銷貨，便可認列營業收入及應收帳款，因此，某些公司為了增加營收，會刻意放寬銷貨政策，例如延長客戶付款期限、給予較多的折讓或利用有關出口貨物優惠政策，虛增收入等，使營業收入在短期間不正常地增加，這對公司的損益表有一定的美化作用。 例如，大陸51黎明弊案中，即為了達到虛增收入、利潤的目的，些擬銷貨業務和銷貨對象，不惜虛開銷貨發票，虛增收入。該公司所屬的營銷不能作進項抵扣的普通增值稅發票，虛增主營業務收入2269萬元，而台灣的博達公司亦利用關系企業製造多起虛擬之交易。
表一 兩岸上市公司財務舞弊案的造假手法
虛增銷貨收入 虛增應收帳款 存貨價值的任意調整 會計政策利用 關系人或子公司交易 費用的轉移和調整
大陸紅光實業舞弊案 ★ ★ ★
大陸鄭百文舞弊案 ★ ★ ★
大陸張家界舞弊案 ★
大陸ST黎明舞弊案 ★ ★ ★ ★ ★
大陸大東海舞弊案 ★ ★
大陸銀廣廈舞弊案 ★ ★ ★ ★
大陸麥科特舞弊案 ★
台灣博達舞弊案 ★ ★ ★
台灣升技舞弊案 ★ ★ ★
台灣皇統舞弊案 ★ ★ ★ ★
台灣宏達科舞弊案 ★ ★
台灣太電掏空案舞弊案 ★ ★ ★
台灣中強電子舞弊案 ★ ★
1997年度大陸上市公司61.12%的應收帳款是其關系人交易 (見表二)，其中與控股公司發生的應收帳款關系人交易達95.29億元，占總額的39.71%，與同屬控股子公司、集團附屬企業和兄弟公司之間發生的應收帳款金額為75.13億元，占總額的31.31%。值得注意的是，大陸上市公司關系人交易中應收帳款金額盈餘過大，顯示操蹤現象顯著。
關系人 交易筆數 交易金額(億元) 所佔比例(%)
直(間)接控股公司 291 95.29 39.71
從屬控股子公司、集團 145 75.13 31.31
附屬企業、兄弟公司、子公司 98 26.31 10.96
聯營、參股公司 207 17.47 7.28
合資公司 11 25.79 10.74
小 計 752 239.99 100.00
資料來源：蔣義宏、魏剛著，「中國上市公司會計與財務問題研究」，東北財經大
學出版社。
3. 存貨價值的任意調整
在銷貨收入不虛增的情況下，「盈餘管理」的焦點就著中在成本及費用兩個方面。銷貨成本的調整主要集中在存貨成本的調整，而存貨所包括的層面較廣，設計方法又多，乃為財會人員提供了很多虛擬財報的管道。假若，該產品需求不錯，在通路上的貨品銷售不成問題，對該公司將不會有負面影響，但是，若該產品在通路上出現滯銷的情況，不僅公司未來業績將受影響，之前異常增加的應收帳款，也有可能會變成呆帳，若通路商要求退貨，又是另一筆退貨呆帳，二者皆可能影響公司獲利狀況，台灣多年前生產電腦顯示器的中強電子，就是因此而關門大吉。
另外，台灣2004年中股市最大地雷之一的博達案，自1999年開始，即透過國內外人頭公司，以假買賣的方式做帳達141億元，由於當時手機概念股當紅，博達即大肆宣傳其所生產的砷化鎵未來應用在手機上的商機有多大，成長性有多高，為了圓這個謊，博達透過這些人頭公司，以假銷貨單進行堆貨，在進貨方面，則另外找了7家，自設2家原料供應商配合出貨洗錢，虛灌營收手法的手法與升技案如出一轍。
大陸部分則有麥科特公司透過偽造進口設備融資租賃合約，虛列固定資產9074萬港元；採用偽造材料和產品的購銷合約、虛開進出口發票、偽造海關印章等手段，虛增收入30118萬港元，虛構成本20798萬港元，虛構利潤9320萬港元。又如例如黎明進出口公司擅自將其本應在「委託發出材料」科目核算的外委加工服裝業務，通過與被委託方對開發票的形式，進行銷貨核算，以虛增888萬元之銷貨收入。
4. 會計政策利用
有時上市司也會利用會計變動或會計制度和准則的漏洞來操縱利潤，如改變短期投資處理損益法及會計原則變動等。尤其在新制度剛出爐，具體作法尚未明確規范時，被利用造假的情況最多，如當企業被允許對各種資產提列減損准備時，這類准備就成為調節利潤的主要方法，此外當制度和准則中的某些特殊情況，需要主觀判斷或估計時，也容易被造假者利用，如或有事項的可能性的判斷，企業會根據自己的需要作出是否揭露、如何揭露的決定。所以，在造假方法中，重大事項的故意遺漏也被頻繁地使用。
5. 關系人或子公司交易
上市櫃公司除了可運用關系人或子公司交易虛灌營收外，亦可與這些關系人或子公司從事財務交易，以達到增加公司獲利或圖利他人之目的。例如：台灣早期的資產股利用關系人交易買賣農地或山坡地等圖利他人。近年來台灣的太電掏空案就成為這種財務操作的代表性例子。根據檢方調查，當時太電副總經理及財務長胡洪九，在民國82年到87年間，設立包括「中俊企業」等146家虛擬企業，再以太電為這些公司作擔保，由這些虛擬企業向銀行大筆舉債，得款後將這些款項轉往海外洗錢，再把債務拋給太電，導致太電損失達新台幣200億元，若折回現值，金額高達400億，大陸部分之關系人交易則絕大部分透過應收帳款產生，如上述之第二點所述。
6. 費用的轉移和調整
所謂費用轉移，是指延遲費用與外界第三者（可能是供應商、客戶，也可能是關系人）交易的入帳時間，以增加本期損益。另外，折舊費用的任意調整，資產減損或報廢時機的選擇，也可用來操縱損益。在大陸百文管理舞弊案中，公司上市後三年運用年度截止日前後之收入、費用的操蹤方法，任意沖減成本及費用、費用跨期入帳等手段，以累計虛增利潤約14390萬元。
四、 公司治理對虛假財務報告的防範
虛假財務報告的審計難度很高，需要審計人員在審計過程中運用高度的正直性和責任感，以保證財務報表之品質。為此，國家的監理機構也應制定完善的審計程序規范，建立責任制度，以約束審計人員的行為。同時，應建立配套的激勵機制，提高審計人員待遇，激勵他們努力提高業務能力和水準。以下乃本文針對兩岸制度之建議：
1. 建立健全的外部監管體系
安隆案涉及財報舞弊及資產侵佔，擔任其簽證的安達信會計師事務所(Arthur Anderson Co.,)因管理諮詢之業務考量，無法客觀地從事審計工作，反倒成為經營層舞弊的馬前卒。因此美國通過沙氏法案，對會計師痛下殺手，不再信任其「自律」，改以PCAOB直接監控會計師工作品質、執行會計師之管理懲處，會計師遂落入「他律」之手。因此兩岸應建立健全審計財稅、證券等監管體系，明確劃分各部門在打擊財務報告舞弊的職能范圍，使之形成有效的監管網路。隨著大陸傳統政府審計領域逐漸向民間審計開放，在增加業務渠道的同時，也自然帶來其他政府部門的監管，例如，依據「中華人民共和國外資金融機構管理條件」規定的「委託會計師對外資金融機構審計的管理辦法」，要求外資金融機構的設立必須聘請中國會計師，由其對外資金融機構財務報表進行法定審計，同時，中國人民銀行有權對從事此項審計業務的會計師、會計師事務所的執業品質進行調查，並擁有處罰權。台灣目前已設有會計師懲戒委員會、全聯會評鑒委員會(財政部)、會計研究發展基金會等，但懲戒、或訂定會計准則，多依證期局之要求，被動從事。且證期局人手不足，形成懲戒輕、會計准則訂定慢。或許，證期局應效法PCAOB，名正言順地讓會計師公會繳械，並撥補足額經費，制定財會准則、
審計准則、強力監督會計師之查核品質、速懲怠忽，才可能遠離博達風暴。
2. 內部監管
董事會被認為是解決管理階層潛在自利誘因及不適任問題之適當方法，其特色是設置獨立董事及各種不同功能之委員會。一般認為，獨立董事制度之功能有三：1.提升經營績效；2.汰換不適任之經營者；3.對違法經營或利益沖突交易等道德危險之監督。目前，美國雖僅有密西根州公司法明文規定公司應設獨立董事，但實務上美國多數大型發行公司之董事會，有半數以上之成員階為獨立董事。
因此，兩岸企業有先建立完善的董事會制度，加強公司治理機制的有效性，從而抑制虛假財務報告。如前所述，亞洲企業董事會的成員大多數是企業的經理層，內線交易現象嚴重。如何提高董事會成員的獨立性和專業性，將是兩岸企業董事會制度急需解決的問題。董事會功能的強化有助於強化企業財務報告體系及內部控制制度，從而杜絕董事會授權的虛假財務報告的發布。
其次，在健全董事會制度的基礎上，有效建立企業內部管理和會計制制度。企業內部控制制度目前已為現代企業科學、有效管理、合法營運的重要標志。只有董事會制度的完善，內部審計才能具有其應有的獨立性，從而發揮內部監督職能，以抑制虛假財務報告的發布。
3. 會計師必須就管理當局對內部控制之評估結果出具查核意見
台灣目前系由證交法及其施行細則、證交所及櫃買中心「對上市(櫃)公司重大訊息之查證暨公開處理程序」、「對上市(櫃)公司重大訊息記者會作業程序」、「公開發行公司網路申報公開資訊應注意事項」等予以規范，公司應依規定須將重大訊息內容或說明輸入證交所指定之網際網路資訊申執系統，以減少投資人資訊不對稱現象。台灣之公開發行公司如有關系企業者，應依規定編制關系企業三書表，此外，兩岸的公開發行公司除應於財務報表揭露海外投資及大陸投資資訊外，以公司對轉投資公司直接或間接具有重大影響力者，再揭露其被投資公司從事資金貸放、背書保證、重大資產、交易關系人交易等資訊。
4. 同業評鑒方面
台灣會計師公會全國聯合設會有業務評鑒委員會，負責評鑒規則之制定及會計師之評鑒，而評鑒委員會之組成，除會計師代表外，尚包括政府機構代表及學者專家，不會有由會計師完全主導之情況。大陸的財政部門是會計和會計師業的主管部門，有責任整頓會計秩序、加強會計監管。而大陸的會計師協會作為會計師行業的自律性組織，未來將更密切與會計師、政府等有關部門的聯系，進而發揮行業組織的作用。
五、 小結
當前，兩岸的市場經濟發展還不夠完善，證券市場、審計市場、經理人員都存在許多問題。在市場經濟發展的初期，國家審計的監管是必要的。所以，針對虛假財報告審計，應充分發揮國家審計的監督運作，利用會計師的獨立性、權威性，以維護會計資訊使用者的權益，維護市場經濟秩序，促進社會經濟的進一步發展。
做為一個優秀的會計師，必須客觀地評估所觀察的情況及搜集的證據，並對於任何潛在的負面指標或跡象，保持專業上應有的注意，以確保財務報表無重大不實的表達。對於值得懷疑的問題或線索，能鍥而不舍深入了解受查單位之經營、財務情況及產業特性，財務報表之審計目標雖為財務報表的允當性，但會計師揭露重大舞弊仍是責無旁貸的。
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2. 含超純硅 砷化鎵的股票有哪些
300102乾照光電：國內砷化鎵LED晶元龍頭上市公司
公司分析：公司主要從事光電產品的研發、生產和銷售業務，主要有高亮度四元系LED外延片及晶元和三結砷化鎵太陽能電池外延片及晶元兩大類產品，產品廣泛應用於顯示屏，照明，汽車尾燈，背光源以及空間衛星等高端領域。
公司自主研發並掌握了多項高亮度四元系紅、黃光LED外延片生長的核心技術，在LED晶元的研發、生產方面也取得了重大突破。公司四元系LED晶元產品的主要技術指標處於國內領先水平，部分達到國際先進水平，並具有較高的性價比，是國內僅有的幾家能夠初步工業化生產LED外延片和晶元的企業之一。
公司以自主研發和擁有多項MOCVD核心技術生產的空間用三結砷化鎵太陽能電池外延片，其加工製成的空間電池產品光電轉化效率指標處於國內領先、國際先進的水平，是目前國內最大的能夠批量生產三結砷化鎵太陽能電池外延片的企業之一。另外公司地面用聚光三結砷化鎵太陽能電池晶元產品已試製成功，並於2009年實現產品銷售。在三結砷化鎵太陽能電池外延片方面，公司自主研發並擁有多項MOCVD核心技術，採用公司所生產的空間用三結砷化鎵太陽能電池外延片製成的電池產品光電轉換效率處於國內領先、國際先進水平。
3. 砷化鎵（化學式為GaAs）是一種重要的半導體材料．砷化鎵中砷元素顯-3價，則鎵元素的化合價是（）A．-
（1）as是35號元素，屬於主族元素，其最外層電子就是其價電子，所以as基態原子的價電子排布式：4s24p3，故答案為：4s24p3；
（2）同一周期元素中，元素的電負性隨著原子序數的增大而增大，第一電離能隨著原子序數的增大而呈增大趨勢，但第va族元素第一電離能大於相鄰元素，ga屬於第iva族、as屬於第va族，所以as的第一電離能比ga的大，as的電負性比ga的大，
故答案為：大；大；
（3）氨氣分子間形成氫鍵，氫鍵的存在導致氨氣的沸點最高，砷化氫的相對分子質量大於磷化氫，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫的高，則這幾種氫化物的沸點高低順序是：nh3＞ash3＞ph3，
故答案為：nh3＞ash3＞ph3；氨氣分子間形成氫鍵，沸點最高，砷化氫的相對分子質量比磷化氫大，分子間作用力大，所以砷化氫的沸點比磷化氫高；
（4）gaas的晶體結構與單晶硅相似，根據硅晶體結構知，在gaas晶體中，每個ga原子與4個as原子相連，與同一個ga原子相連的as原子構成的空間構型為正四面體，gaas的晶體結構和硅晶體相似，則晶體類型相似，所以gaas屬於原子晶體，故答案為：4；正四面體；原子；
（5）根據元素守恆知，另外一種生成物是ch4，根據反應物、生成物及反應條件知，其反應方程式為：（ch3）3ga+ash3
700℃
.
gaas+3ch4，
（ch3）3ga為非極性分子，（ch3）3ga中ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp2雜化，
故答案為：（ch3）3ga+ash3
700℃
.
gaas+3ch4；sp2．
4. 啥是砷化鎵單晶
自然界的物質按導電能力可分為導體、絕緣體和半導體三類。半導體材料是指室溫下導電性介於導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電，室溫時電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大；若摻入活性雜質或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個數量級的變化。1906年製成了碳化硅檢波器。1947年發明晶體管以後，半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發展，並成為電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本徵半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質後，由於雜質原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以製成具有不同功能的半導體器件，如二極體、三極體、晶閘管等。此外，半導體材料的導電性對外界條件（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常敏感，據此可以製造各種敏感元件，用於信息轉換。半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用（如光或電場）下內部載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度，對於非晶態半導體材料，則沒有這一參數。半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。半導體材料的種類常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素製成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。二元系化合物半導體有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化鉛、硒化鉛等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體，如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等，還處於研究階段。此外，還有非晶態和液態半導體材料，這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。制備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求，包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導體材料的不同形態要求對應不同的加工工藝。常用的半導體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長。所有的半導體材料都需要對原料進行提純，要求的純度在6個「9」以上，最高達11個「9」以上。提純的方法分兩大類，一類是不改變材料的化學組成進行提純，稱為物理提純；另一類是把元素先變成化合物進行提純，再將提純後的化合物還原成元素，稱為化學提純。物理提純的方法有真空蒸發、區域精製、拉晶提純等，使用最多的是區域精製。化學提純的主要方法有電解、絡合、萃娶精餾等，使用最多的是精餾。由於每一種方法都有一定的局限性，因此常使用幾種提純方法相結合的工藝流程以獲得合格的材料。絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法應用最廣，80％的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的，其中硅單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法，用此法已生產出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法，用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於制備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。工業生產使用的主要是化學氣相外延，其次是液相外延。金屬有機化合物氣相外延和分子束外延則用於制備量子阱及超晶格等微結構。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金屬等襯底上用不同類型的化學氣相沉積、磁控濺射等方法製成。半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶（band）寬度不同。絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入傳導帶中。室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入傳導帶。因此，對於一個在相同電場下的純質半導體（intrinsicsemiconctor）和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱為「摻雜」（doping）。依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般的電性。在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-inelectricfield），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。半導體材料也因為這樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如晶體管。晶體管屬於主動式的（有源）半導體元件（activesemiconctordevices），當主動元件和被動式的（無源）半導體元件（passivesemiconctordevices）如電阻器（resistor）或是電容器（capacitor）組合起來時，可以用來設計各式各樣的集成電路產品，例如微處理器。當電子從傳導帶掉回價帶時，減少的能量可能會以光的形式釋放出來。這種過程是製造發光二極體（light-emittingdiode,LED）以及半導體激光（semiconctorlaser）的基礎，在商業應用上都有舉足輕重的地位。而相反地，半導體也可以吸收光子，透過光電效應而激發出在價帶的電子，產生電訊號。這即是光探測器（photodetector）的來源，在光纖通訊（fiber-opticcommunications）或是太陽能電池（solarcell）的領域是最重要的元件。半導體有可能是單一元素組成，例如硅。也可以是兩種或是多種元素的化合物（compound），常見的化合物半導體有砷化鎵（galliumarsenide,GaAs）或是磷化鋁銦鎵（,AlGaInP）等。合金（alloy）也是半導體材料的來源之一，如鍺硅（silicongermanium,SiGe）或是砷化鎵鋁（aluminiumgalliumarsenide,AlGaAs）等。
5. 半導體概念股龍頭有哪些
太極實業：通過收購十一科技進軍半導體晶圓廠潔凈工程領域。
通富微電：公司主要從事集成電路 的封裝測試業務，在中高端封裝技術方面佔有領先優勢，是國內目前唯一實現高端封裝測試技術MCM、MEMS量化生產的封裝測試廠家。2006年產能達到35億只，在內地本土集成電路封裝測試廠中排名第一。公司是Micronas、FreesCAle、ToshiBA等境外知名半導體企業的合格分包方，其中全球前10大跨國半導體企業已有5家是公司長期穩定的客戶。同時公司注重開發國內市場。
長電科技：公司是中國半導體第一大封裝生產基地，國內著名的晶體管和集成電路製造商，產品質量處於國內領先水平。公司擁有目前體積最小可容納引腳最多的全球頂尖封裝科技，在同行業中技術優勢十分突出。
華微電子：公司是我國最大的功率半導體專業生產企業，產品應用於家電 、綠色照明 、計算機和通訊、汽車電子四大領域，產品性能達到國際先進水平，有些產品的性能甚至超過了國際水平。
康強電子：主要從事半導體封裝用引線框架和鍵合金絲的生產，屬於科技創新 型企業，國內最大的塑封引線框架生產基地，年產量達160億只，已成為我國專業生產半導體集成電路引線框架、鍵合金絲的龍頭企業。
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半導體( semiconctor)，指常溫下導電性能介於導體(conctor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上最具有影響力的一種。
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6. 說一說，你認為中國，最有影響力的企業有哪些
中國第一家進入全球前十大市值上市公司榜單前五名的企業是中石油，2017年中石油在A股上市的第一天，就成功登上全球前十大市值上市公司榜單第一名。這也是中國企業唯一一次成功登上全球前十大市值上市公司榜單稱王。
7. 砷化鎵 是怎麼合成的
砷化鎵材料的制備
與硅相仿，砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料，也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造集成電路（採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶）。重點是液封直拉法（即液封喬赫拉斯基法，簡稱LEC法）,但水平舟生長法（即水平布里其曼法）因制出的單晶質量和均勻性較好，仍然受到一定的重視。液封直拉法的一個新發展是在高壓單晶爐內用熱解氮化硼(PBN)坩堝和乾燥的氧化硼液封劑直接合成和拉制不摻雜、半絕緣砷化鎵單晶。另外，常壓下用石英坩堝和含水氧化硼為液封劑的方法也已試驗成功。不論水平舟生長法或是液封直拉法，晶體的直徑均可達到100～150毫米而與硅單晶相仿。
砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延，所得外延層在純度和晶體完整性方面均優於體單晶材料。通用的氣相外延工藝為Ga/AsCl3/H2法,這種方法的變通工藝有Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。為了改進Ga/AsCl3/H2體系氣相外延層的質量，還研究出低溫和低溫低壓下的外延生長工藝。液相外延工藝是用 Ga/GaAs熔池覆蓋襯底表面,然後通過降溫以生長外延層,也可採用溫度梯度生長法或施加直流電的電外延法。在器件(特別是微波器件)的製造方面,汽相外延的應用比液相外延廣泛。液相外延可用來製造異質結(如GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是製造砷化鎵雙異質結激光器和太陽電池等的重要手段。
砷化鎵外延技術還有分子束外延和金屬有機化合物汽相沉積外延。分子束外延是在超高真空條件下，使一個或多個熱分子束與晶體表面相作用而生長出外延層的方法。對入射分子或原子束流施加嚴格的控制，可以生長出超晶格結構，例如由交替的GaAs和AlxGaAs薄層（厚度僅10埃）所組成的結構。金屬有機化合物汽相沉積外延是用三甲基鎵或三乙基鎵與砷烷相作用而生長外延層。用這種方法也能適當地控制外延層的濃度、厚度和結構。與分子束外延相比，金屬有機化合物汽相沉積外延設備和工藝均較簡單，但分子束外延層的質量較高。
材料中的深能級缺陷砷化鎵中的雜質和缺陷（特別是深能級缺陷）對器件性能影響很大。作為化合物半導體，砷化鎵中的深能級缺陷問題遠比硅、鍺復雜。例如，半絕緣砷化鎵中最重要的深電子陷阱ELZ和在液相外延砷化鎵中發現的A、B空穴陷阱的本性和行為都有待於研究。
應用砷化鎵器件主要包括光電器件和微波器件兩大類。砷化鎵以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接躍遷的能帶結構，在光電應用方面處於有利的地位。常用的光電器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP兩種結構的雙異質結激光器，紅外和可見光發光管，砷化鎵太陽電池。在微波器件方面，砷化鎵的高遷移率和低有效質量使器件得以在更高頻率下工作。另外，基於電子轉移效應，已研製出耿氏管一類器件。70年代初，由於高質量砷化鎵外延材料和精細光刻工藝的突破，砷化鎵肖特基勢壘場效應晶體管(MESFET)取得了顯著的進展，頻率、增益和雜訊等參數均優於硅場效應晶體管。超晶格結構的出現為高電子遷移率晶體管(HEMT)的研製成功創造了條件。
砷化鎵材料的研究課題有：低位錯、大直徑、非摻雜、半絕緣砷化鎵單晶的制備；深能級缺陷的闡明與控制；低界面態密度氧化物層的獲得等。
8. 硅鍺砷化鎵哪個帶隙寬禁帶寬度越大，少數載流子濃度的溫度靈敏度怎麼樣
1） 硅二極體反向電流比鍺二極體反向電流鍺管mA級硅管nA級相同溫度鍺ni比硅ni要高約三數量級所相同摻雜濃度硅少濃度比鍺少濃度低故硅管反向飽電流Is
2） 向電壓通二極體電流向電壓達某數值Ur電流才明顯增通電壓Ur稱二極體門限電壓稱死區電壓或閾值電壓由於硅二極體Is遠於鍺二極體Is所硅二極體門限電壓於鍺二極體門限電壓般硅二極體門限電壓約0.5V~0.6V, 鍺二極體門限電壓約0.1V~0.2V
9. 砷化鋁鎵和砷化鎵工藝區別大不大
AlGaAs技術是在微波行業採用能隙工程生產新型半導體結構，利用多量子阱、超晶格和異質結的各種性質，製造由分子束外延法和有機金屬化學氣相沉積法生長的新型半導體。帶隙原理被應用於MACOM AlGaAs技術的開發。推動了PIN二極體射頻性能的提升。
與等效的GaAs PIN結構不同，AlGaAs回波損耗、插入損耗低。
分立式異質結AlGaAs PIN二極體在10 mA偏流條件下將高頻插入損耗降低兩倍的性能。
10. 硅 鍺 砷化鎵 能帶結構的異同(簡答)
·硅鍺與硅和砷化鎵的對比
SiGe相比Si和GaAs具有四大優點：由於能量勢壘較小，因而功耗較低，開關速度較高；低頻和射頻范圍的雜訊系數較低；由於功率輸出大，有可能進行嶄新的設計；整個製造過程可採用經濟有效的解決方案，因為SiGe製造工藝保留了硅製造工藝的大部分成本經濟性。
·砷化鎵與硅的比較
砷化鎵復合物一直被認為是Si最強大競爭對手的原因：GaAs集成電路的工作速度高於硅集成電路，原因是GaAs的低場電子遷移率要大於硅，同時GaAs的飽和場低於硅的飽和場；GaAs禁帶寬度要比硅的禁帶寬度大三個數量級，這樣GaAs可做成半絕緣的，用半絕緣GaAs襯底做成的器件可減少寄生電容，其速度比硅還要快；GaAs是一種直接帶材料，並能發射光，適於製作激光器、發光二極體和微波發射器。
硅比砷化鎵具有幾個明顯的優點：硅可以把自己的氧化物形式用做絕緣體，這種絕緣體起著掩模的作用，對硅提供保護，而砷化鎵卻無此能力，因而GaAs器件較難製造，而且造價較高；硅的導熱能力是砷化物的 2.75 倍，因此，用硅電路可實現的封裝密度要高於GaAs電路；砷化物是劇毒的，因而即使用量極少，也會在處置和清除GaAs產品方面產生各種問題；硅是地球上最豐富的元素（僅次於氧），而砷化鎵卻極其稀少，獲取要困難得多。